1. 광 도전 셀, 포토 레지스터
ㅇ 빛(가시광선) 세기가 증가하면,
- 저항이 감소하여, 전류가 많이 흐르게 되며,
- 이를통해 광을 검출하는,
- 반도체 수동 소자
ㅇ 例) CdS Cell (황화카드뮴 광 도전셀)
- 황화카드뮴 (cadmium sulfide)
. Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체
. 금지대폭 2.45 eV, 문턱 파장 0.51 ㎛ (☞ 문턱 파장 참조)
. 녹는점 1,750 ℃
. 전자 이동도 300 ㎠/(V·s) at 300 K
ㅇ [용어]
- 광 도전 셀 (Photo Conductive Cell), 포토 레지스터 (Photoresistor),
Light-dependent Resistor (LDR)
2. 광 도전 셀의 특징
ㅇ 2개 전극을 갖는 원판형 모양의 부품
- 단, 극성 없음 (뒤바꿔도 상관 없음)
ㅇ 능동소자인 포토 다이오드, 포토 트랜지스터와 달리, 수동소자임
ㅇ 저항값이, 어둔 곳에서 수십 MΩ 이상, 밝은 곳에서 수 kΩ 정도 이하
ㅇ 저렴하고 쉽게 구할 수 있으나, 환경 오염 가능성