산화 공정

1. 실리콘 산화막의 형성 공정

  ㅇ 타깃 물질 전체 표면에 산화막을 형성/생성/성장시키는 공정

  ㅇ 한편, 전체 뿐 만 아니라 부분적으로도 얇은 막을 입히는 공정은,  ☞ 박막 참조


2. 주요 공정 종류

  ㅇ 양극 산화 (Anodic Oxidation) : 금속의 표면 처리법 중의 하나
     - 전해액 내 도금 금속을 양극(+)으로 해서 전기 화학적으로 산화 피막 형성

  ㅇ 스퍼터링 (Sputtering) : 기판 가열 불필요
     - 진공 내 고 에너지 이온 가스 분자가 방전되며 음극의 박막 재료 타깃에 충돌되고, 
     - 그 박막 재료 물질이 스퍼터되어 양극의 기판 위로 그대로 전달되어 산화막 형성

  ㅇ 열 산화 (Thermal Oxidation) 방법 : 실리콘 웨이퍼 그 자체 물질이 이용됨
     - 실리콘 기판 자체를 고온(900~1200℃)에서 산화시켜 열 산화막(thermal oxide)을 성장
          

     - 건식 산화 (dry oxidation) : 순수 산소 가소
           
        . 성장 속도 느려, 얇은 박막 형성 가능 
        . 집적회로 공정에 많이 쓰임

     - 습식 산화 (wet oxidation) : 수증기 
           
        . 성장 속도 빨라, 두꺼운 박막 형성 가능 

  ㅇ CVD (화학 기상 증착) 방법
     - 원하는 물질이 포함된 가스를 외부에서 주입하고,
     - 적절한 화학반응을 일으켜,
     - 이를통해 웨이퍼 전체 표면에 도포(증착)시킴

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