1. Dynamic RAM (DRAM)
ㅇ 일반적인 기억장치로써 전원이 끊어지면 저장된 자료가 바로 소멸되는 메모리를 말함
2. DRAM 특징
ㅇ 데이터를 수밀리초 정도 짧게 유지하므로, 주기적인 리프레시 동작 필요
ㅇ 고집적화 (대용량화)
ㅇ 비교적 고속의 데이터 처리 능력
ㅇ 속도는 주로 Access Time으로 표시됨
3. DRAM 구분
※ 보통의 RAM은 동작방식에 따라, DRAM 및 SRAM으로 나뉘어지는데,
- 우리가 RAM이라고 할 때는, 바로 DRAM을 카르킴
- 속도면에서 SRAM이 빠르지만, 값이 비싼 이유로 주로 DRAM을 많이 사용
- 특히, 컴퓨터의 메인 메모리 등에 많이 사용
ㅇ 칩 외양에 따라, 다음 3가지 형태로 구분
- DIP (Dual In-line Package) : 좌우로 핀이 달린 형태. 회로기판에 끼워넣도록 됨
- SOJ (Small Outline J-lead) : J 자 모양으로 안쪽으로 휘어져 회로기판에 붙박힘
- TSOP (Thin Small Outline Package)
ㅇ 계열 구분
- SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic RAM)
. 각 클록 펄스의 상승 또는 하강하는 시점에서 한 번 만 데이터를 전송
- DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM) : (DDR2, DDR3, DDR4, DDR5, DDR6)
. 각 클록 펄스의 상승,하강 시점 모두에서 데이터 전송
. SDR 보다 2배 속도 가능
- RDRAM (Rambus DRAM)
4. [참고사항]
ㅇ 내부 구성
- 메모리 셀 배열, 행 디코더, 열 디코더, 감지 증폭기, I/O 버퍼회로, 리프레시 회로 등
ㅇ 제어 신호 구성
- {#\overline{RAS}#} (row address strobe) : 행 주소 활성
- {#\overline{CAS}#} (colume address strobe) : 열 주소 활성
* 칩 핀 수를 줄이기 위해, 행 주소,열 주소를 동일 입력 핀에 순차적으로 엇갈려서 입력시킴
- {#\overline{CS}#} (chip select) : 칩 선택
- {#\overline{WE}#} (write enable) : 읽기,쓰기 동작 구분
ㅇ 외부 공급 전압 구성
- VDD, VSS
ㅇ 메모리 셀 구성
- nMOS 1개
. 게이트에 워드라인 인가
. 게이트 전압 인가 유무에 따라, 비트라인과 셀 커패시터 사이에 전자 흐름의 통로 역할
- 셀 커패시터 1개
. 용량 : 수십~수백 fF(펨토 패럿)
. 전자 채워지면 1, 비어지면 0 (전하 누설때문에, 주기적인 리프레시 필요)
ㅇ 메모리 셀 선택
- (M x N) 셀의 경우,
- 2M 행(워드 라인)들 중 하나, 2N 열(비트 라인)들 중 하나로써, 특정 셀 선택 가능