1. 발광 소자 (Optical Source) (전기 → 광)
ㅇ 전기적 신호를 광 신호로 변환시키는 전-광 소자(Electro-Optic Device)
- 특히, 광 신호를 광섬유 안으로 입사시키는 역할을 함
※ [참고] 광통신 링크 구성 例
2. 광원(발광소자) 구분
ㅇ 반도체 광원 ☞ LED 및 LD 비교 참조
- 발광 다이오드 (LED, Light Emitting Diode) : 자연방출 이용
- 레이저 다이오드 (LD, Laser Diode) : 유도방출 이용
ㅇ 일반적 분류
- 안정화 광원 : 레이저다이오드 등
- 가변 파장 광원: 분광기장착 할로겐램프 등
- 고출력 광원 : EDFA를 이용한 레이저 다이오드 등
- 가시광원 : 가시광선 영역의 발광 다이오드
ㅇ 파장대에 따른 구분
- 장 파장대 : 1300nm, 1310nm, 1550nm
- 단 파장대 : 650nm, 850nm
- 여기 레이저대 : 980nm, 1480nm
3. [광통신] 광통신용 반도체 광원의 특징
ㅇ 주요 특징
- 크기가 작음, 효율이 좋음, 매우 긴 수명, 신뢰성이 우수
ㅇ 방출 파장이 광섬유의 저손실 파장과 일치
ㅇ 작은 발광 범위
- 광섬유의 코어 크기와 비슷한 작은 광 방출 단면을 가짐
ㅇ 스펙트럼 선폭(Spectral Width)이 좁음 (LD가 LED 보다 더 좁음)
- LED : 단거리, 소용량, 자연방출 이용 등
- LD : 장거리, 대용량, 유도방출 이용 등
ㅇ 고속 변조 가능
- 비교적 높은 주파수까지 직접 변조가 가능
4. [광통신] 광 송신기 (Optical Transmitter)
ㅇ 전기 신호를 전송매체에 맞게 광 변조하여 송출하는 장비
- 광통신용 광원 : 광 발생
- 광변조기 : 광 전송매체에 맞게 광 신호 변조
- 구동회로 : 안정된 광 출력 및 발진 파장 유지
- 온도 안정화 회로 등
5. [참고사항]
ㅇ 발광 반도체 주요 소자
- GaAs, GaAlAs, GaInP, InGaAs, InGaAsP 등 ☞ 화합물반도체 참조
. GaAs : Eg ≒ 1.4 [eV], λ ≒ 900 [㎚]
. GaAlAs : Eg ≒ 1.4~1.55 [eV], λ ≒ 800~900 [㎚]
. InP : Eg ≒ 1.33 [eV], λ ≒ 930 [㎚]
. InGaAs : Eg ≒ 0.05~1.24 [eV], λ ≒ 1000~1300 [㎚]
. InGaAsP : Eg ≒ 0.73~1.35 [eV], λ ≒ 900~1700 [㎚]
ㅇ 광원의 주요 비교 항목
- 중심 파장(피크 파장), 스펙트럼폭(FWHM), 광 출력, 속도 등