MOSFET 등가회로

1. MOSFET 대신호 등가회로

  ㅇ MOSFET 동작영역 별로 다음과 같은 등가회로 가능

    - 포화영역 등가회로
     

    - 트라이오드영역 등가회로
      

    - 깊은 트라이오드영역 등가회로
     


2. MOSFET 소신호 등가회로

  ㅇ MOSFET 소자 내부 동작 특성을 전류원,저항 등으로 모델화시킨 등가회로

  ㅇ 전압 제어 전류원 (VCCS) 모델
     
     - 입력 전압 vgs에 의해, 출력 전류 gmvgs (드레인 전류)가 조절됨

     - 여기서, 입력 저항, 출력 저항 모두가 거의 무한대로 가정됨

     - 얼리 효과(채널길이변조 효과)를 고려하지 않은, 등가회로 모델임

  ㅇ 하이브리드 π 모델
     
     - ro : MOSFET 출력 저항 (보통 10 ~ 1000 kΩ)

     - MOSFET 소신호 모델 파라미터인, ro 및 gm은,
        . 직류 바이어스 점에 의존함 

     - 얼리 효과(채널길이변조 효과)를 고려한, 등가회로 모델임

  ㅇ T 모델
     

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