Depletion-type MOSFET, Enhancement-type MOSFET   MOSFET 종류, 증가형 MOSFET, 공핍형 MOSFET

1. MOSFET 종류

  ㅇ 공핍형 MOSFET (Depletion-type MOSFET, D-MOSFET)
     - 물리적으로 미리 심어진 채널(implanted channel)을 갖고 있는 구조
       

     * 고주파 RF 증폭기 등에서 일부 사용

  ㅇ 증가형 MOSFET (Enhancement-type MOSFET, E-MOSFET)
     - 정상동작을 위해서는 채널을 유기할 필요가 있는 구조
       

     * 상용 대부분이 증가형 MOSFET 만 사용 (★)

  ※ 공핍형,증가형 구분 방법
     - (공정 측면)  채널이 미리 만들어지는지 여부에 따라 구분됨
     - (동작 측면)  동작을 위해 채널이 유기될 필요가 있는지 여부에 따라 구분됨
     - (구조 측면)  구조적으로는, 둘 다 동일 모양을 갖으므로 구분 안됨


2. 증가형 MOSFET (Enhancement-type MOSFET, E-MOSFET)

  ㅇ 증가형 MOSFET의 특징
     - 전도채널을 유기할 필요 있음
        . 즉, (인가 필요한 게이트 전압) VG > Vth (문턱전압)

        . 만일, 게이트 전압 VG = 0 이면, 
        . 전도채널이 형성되지 않아, IDS = 0 으로 차단상태(차단영역) 임
        . 이때, 소스와 드레인 사이에 높은 저항을 갖음 (≒1012[Ω])

     - 소스,드레인과 기판 간에는 역방향 바이어스 임

  ㅇ 증가형 MOSFET의 구분 
     * (소스,드레인,기판의 도핑 형태에 따라, 전도채널 종류가 정해짐)

     - 증가형 nMOS : n-channel Enhancement-type (n-채널 증가형) 
        . 약 도핑된 p형 기판에 강 도핑(P,As 등)된 n+ 영역을 우물 모양으로 확산시킨 것
           .. p형 기판 위의 게이트 양쪽에, n+형 소스 및 드레인 있음

     - 증가형 pMOS : p-channel Enhancement-type (p-채널 증가형)
        . 약 도핑된 n형 기판에 강 도핑된 p+ 영역을 우물 모양으로 확산시킨 것
           .. n형 기판 위의 게이트 양쪽에, p+형 소스 및 드레인 있음

     * 통상, nMOS가 pMOS 보다, 전도 전류가 2배 이상 큼


3. 회로 기호 및 극성

  

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