1. 플래시 메모리 (Flash Memory)
ㅇ 전기적으로 지울 수 있고 프로그래밍이 가능한 EEPROM의 한 종류
ㅇ 주로, 휴대용 기기에서 사용하는 반도체 비휘발성 메모리를 말함
- 휴대전화, 디지털카메라, PDA, MP3 플레이어 등에 널리 이용
※ 어원 : 메모리 내용물을 지우는 과정이 마치 카메라 플래시를 떠올리기 때문에 붙여짐
2. 플래시 메모리의 특징
ㅇ 비교적 소용량의 데이터 보존에 사용
- 주로, 프로그램 설치 및 실행용 공간
ㅇ 동작 구성
- 3대 동작 : program 동작 (저장), read 동작 (읽기), erase 동작 (삭제)
- 1 cycle 동작 (program-read-erase)
ㅇ 블록 단위로 내용 전체를 지우거나 재수정함
- 프로그램 실행 중 세부단위로 변경 불가능
* 즉, 워드 크기로 읽기를 지원하지만, 블록 크기의 쓰기(수정) 만을 지원함
ㅇ 휴대용 기기에서, 데스크톱 컴퓨터의 디스크(저장장치)를 대체 함
3. 구분 : 메모리 셀 구조에 따른 구분
ㅇ 비휘발성 메모리는 메모리 셀들의 행렬 형태로 묘사 가능
- 각 행(워드 라인), 각 열(비트 라인)의 교차점에 하나의 메모리 셀이 위치함
- 워드 라인과 비티 라인에서 메모리 셀이 어떻게 연결(NOR,AND,NAND)하는지에 따라,
- 어레이 구조 타입이 결정됨
ㅇ NAND Flash : 데이터 저장형
- 저장용량이 큼, 전자회로 구성이 NAND 게이트로 됨
- 저장단위인 메모리 셀을 수직으로 배열해 좁은 면적에 많은 셀을 만들 수 있도록 함
ㅇ NOR Flash : 코드 저장형
- 처리 속도가 빠름, 전자회로 구성이 NOR 게이트로 됨
- 저장단위인 메모리 셀을 수평으로 배열해 읽기 속도가 빠름 (NAND Flash Memory)
4. `NAND Flash` 및 `NOR Flash` 비교
ㅇ Read : (NAND) 늦음, (NOR) 빠름
ㅇ Programming : (NAND) 빠름, (NOR) 늦음
ㅇ Erasing : (NAND) 빠름, (NOR) 늦음
ㅇ 용량 : (NAND) 큼, (NOR) 작음
ㅇ 가격 : (NAND) 저가, (NOR) 고가
ㅇ 크기 : (NAND) 작음, (NOR) 큼